1、定義與材質
定義：
高純鎳靶材是以純度≥99.9%（通常為99.95%~99.999%）的金屬鎳為原料，通過熔煉、鍛造、軋制等工藝制成的片狀或塊狀材料，主要用于物理氣相沉積（PVD）、磁控濺射等鍍膜工藝。
材質特性：
成分：鎳（Ni）含量≥99.9%，雜質元素（如Fe、C、S、O等）嚴格控制在ppm級。
形態(tài)：常見為圓形、矩形或異形靶材，表面需高精度拋光（粗糙度Ra≤0.8μm）。
2、性能與特點
核心性能：
高導電性：鎳的電阻率低（6.9×10?? Ω·m），適合高頻電子器件鍍膜。
耐腐蝕性：在常溫下對酸、堿、鹽溶液及大氣腐蝕有良好抗性。
高熔點（1455℃）：適用于高溫濺射環(huán)境。
強結合力：鍍膜與基材附著力優(yōu)異。
獨特優(yōu)勢：
濺射速率快，膜層均勻致密；
可加工成復雜形狀，兼容多種鍍膜設備；
高純度確保鍍膜低缺陷，適用于精密電子領域。
3、應用領域
半導體制造：用于集成電路（IC）中的金屬互連層、阻擋層。
顯示面板：TFT-LCD、OLED的電極鍍膜。
太陽能電池：薄膜太陽能電池的背電極材料。
光學鍍膜：鏡面反射涂層、防反射膜。
磁性材料：磁記錄介質（如硬盤）的磁性層。
裝飾鍍層：手機外殼、珠寶的耐磨裝飾鍍膜。
4、執(zhí)行標準
國際標準：
ASTM B160（鎳及鎳合金棒材標準）；
ISO 6283（金屬靶材表面質量規(guī)范）。
國內標準：
GB/T 5235（高純鎳靶材技術要求）；
SJ/T 11485（電子行業(yè)濺射靶材標準）。
5、與其他靶材的區(qū)別
| 靶材類型 | 核心特性 | 主要應用領域 | 對比高純鎳靶材 |
| 鈦靶材 | 輕質、耐高溫氧化 | 航空航天、生物醫(yī)療 | 鈦更輕，但導電性差，需摻雜使用。 |
| 鋯靶材 | 耐腐蝕、中子吸收 | 核工業(yè)、化工防腐 | 鋯耐蝕性更強，但成本高，加工難度大。 |
| 鉭靶材 | 高熔點、耐酸堿 | 半導體阻擋層、電容器 | 鉭更耐蝕，但價格昂貴，濺射速率低。 |
| 鈮靶材 | 超導性能、低溫韌性 | 超導材料、航空航天 | 鈮超導性突出，但純度要求更高。 |
| 鋁靶材 | 輕質、低成本 | 反射鏡、包裝材料 | 鋁成本低，但硬度低，耐磨性差。 |
| 銅靶材 | 超高導電性、導熱性 | 芯片互連、散熱涂層 | 銅導電性優(yōu)于鎳，但易氧化，需加阻擋層。 |
6、前景展望與深度應用需求
1）技術趨勢：
半導體小型化：3nm以下制程對高純鎳靶材的純度（≥99.999%）和晶粒均勻性提出更高要求。
新能源擴展：固態(tài)電池電極鍍膜、氫能催化層需求增長。
先進顯示技術：Micro LED巨量轉移中的金屬鍵合層依賴高精度鎳鍍膜。
2）挑戰(zhàn)與機遇：
國產替代：突破高純鎳提純技術（如區(qū)域熔煉法），降低進口依賴；
復合靶材開發(fā)：鎳基合金靶材（如Ni-Cr、Ni-Ti）滿足多功能鍍膜需求。
7、選購方法與注意事項
1）選購要點：
純度驗證：要求供應商提供ICP-MS檢測報告（雜質含量≤100ppm）；
晶粒尺寸：均勻的納米級晶粒（≤50nm）可提升鍍膜質量；
密度控制：靶材密度≥8.9g/cm3（接近理論值8.908g/cm3）；
供應商資質：優(yōu)先選擇通過ISO 9001和IATF 16949認證的廠商。
2）使用注意事項：
存儲：真空包裝，避免氧化和表面污染；
安裝：靶材與背板需緊密貼合，防止濺射過程中局部過熱；
工藝匹配：根據設備功率調整濺射參數（如氣壓、功率密度），減少結瘤問題。
高純鎳靶材憑借其優(yōu)異的導電性、耐腐蝕性和鍍膜性能，在半導體、新能源等領域占據重要地位。與鈦、鋯等靶材相比，其在成本與性能間實現了較好平衡。未來隨著技術迭代，高純鎳靶材的純度提升和復合化將是主要發(fā)展方向。
建議用戶：根據具體應用場景（如鍍膜厚度、基材類型）選擇靶材規(guī)格，優(yōu)先與具備定制化能力的供應商合作，并定期檢測靶材使用后的表面狀態(tài)以優(yōu)化工藝。
