鋯靶材，作為一種高性能的濺射靶材，正在半導(dǎo)體與微電子領(lǐng)域展現(xiàn)出日益重要的價(jià)值。憑借鋯金屬及其化合物（如二氧化鋯、氮化鋯、硼化鋯）獨(dú)特的熱穩(wěn)定性、優(yōu)良的化學(xué)惰性、合適的電學(xué)特性以及與硅工藝良好的兼容性，它被用于制備關(guān)鍵的功能薄膜，是先進(jìn)封裝和微電子器件性能與可靠性的重要保障。
一、 定義與材質(zhì)
定義：半導(dǎo)體封裝與微電子用鋯靶材，是指用于物理氣相沉積（PVD，主要為磁控濺射）工藝，在半導(dǎo)體芯片、封裝基板或微電子器件表面沉積功能性鋯基薄膜的源材料。作為“濺射源”，它在真空腔體內(nèi)被高能粒子轟擊，使其原子或分子被濺射出來(lái)并沉積在基片上，形成納米至微米級(jí)厚的薄膜。
主要材質(zhì)：
高純金屬鋯靶材：純度通常在99.95% (3N5) 至 99.999% (5N)之間。主要用于沉積金屬鋯薄膜，可作為擴(kuò)散阻擋層或粘附層。
鋯化合物陶瓷靶材：這是實(shí)現(xiàn)特定電學(xué)、力學(xué)或化學(xué)功能的核心。
二氧化鋯靶材：特別是氧化釔穩(wěn)定氧化鋯，具有高介電常數(shù)、優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，可用于高K介質(zhì)層、絕緣層或保護(hù)涂層。
硼化鋯靶材：具有極高的熔點(diǎn)、良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性及穩(wěn)定性，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中可作為硬質(zhì)耐磨或擴(kuò)散阻擋薄膜。
氮化鋯靶材：一種高硬度、耐腐蝕的導(dǎo)電陶瓷材料，可用于耐磨涂層或擴(kuò)散阻擋層。
鋯合金靶材：如鋯鈦合金靶，用于制備鋯鈦酸鉛壓電薄膜等特種功能材料。
二、 關(guān)鍵性能特點(diǎn)
該領(lǐng)域?qū)︿啺胁牡囊髽O為嚴(yán)苛，核心圍繞薄膜的“性能精確”、“極致均勻”與“超純穩(wěn)定”。
超高純度與精確的成分控制：靶材純度是薄膜性能的基石。微量雜質(zhì)（特別是重金屬、堿金屬）會(huì)嚴(yán)重影響薄膜的電絕緣性、介電損耗和長(zhǎng)期可靠性。對(duì)于化合物靶材（如YSZ），摻雜元素（如釔）的含量和分布均勻性必須得到精確控制。
高密度與微觀結(jié)構(gòu)均勻性：靶材需具備極高的相對(duì)密度（通常>98%），以保障濺射過(guò)程穩(wěn)定、減少顆粒污染并獲得致密無(wú)孔的薄膜。同時(shí)，要求晶粒細(xì)小、分布均勻，無(wú)氣孔、偏析等缺陷，這是實(shí)現(xiàn)大面積膜厚均勻和成分一致性的關(guān)鍵。
優(yōu)異的薄膜功能性：最終沉積的鋯基薄膜需滿足特定應(yīng)用要求，例如：
優(yōu)越的擴(kuò)散阻擋能力：能有效阻擋銅、金等互連金屬向硅或介質(zhì)層中擴(kuò)散。
合適的電學(xué)性能：如高介電常數(shù)、低漏電流（對(duì)于氧化物介質(zhì)），或低電阻率（對(duì)于氮化物、硼化物導(dǎo)體）。
杰出的化學(xué)與熱穩(wěn)定性：在后續(xù)工藝（如退火、蝕刻）和服役環(huán)境中保持穩(wěn)定，不發(fā)生相變或反應(yīng)。
良好的工藝兼容性：靶材的濺射性能（如濺射速率、穩(wěn)定性）需與半導(dǎo)體生產(chǎn)線的高精度、高重復(fù)性要求完美匹配。
三、 主要執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
半導(dǎo)體級(jí)鋯靶材遵循一系列嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。
通用基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)：參考國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)如《GB/T 21183》對(duì)鋯及鋯合金靶材的規(guī)定，以及《GB/T 15076》等對(duì)鋯化學(xué)分析方法的要求。
行業(yè)與企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：由于技術(shù)迭代快，實(shí)際生產(chǎn)主要依據(jù)下游芯片制造與封裝巨頭的定制化技術(shù)協(xié)議。這些協(xié)議對(duì)靶材的尺寸、形狀（平面靶、旋轉(zhuǎn)靶）、純度、雜質(zhì)含量上限、密度、晶粒尺寸、綁定焊接率等均有極為詳細(xì)的規(guī)定。
參考性技術(shù)規(guī)范：對(duì)于化合物靶材，可參考相關(guān)領(lǐng)域的研究與標(biāo)準(zhǔn)。例如，核用硼化鋯靶材的制備標(biāo)準(zhǔn)（如高純度、單一相要求）對(duì)半導(dǎo)體用高純陶瓷靶有借鑒意義。
四、 加工工藝、關(guān)鍵技術(shù)及流程
高品質(zhì)鋯靶材的制造是粉末冶金、真空冶金和精密加工技術(shù)的深度結(jié)合。
1. 核心加工流程：
原料準(zhǔn)備（高純鋯/化合物粉末） →成型制備（粉末冶金或熔煉鑄造） →燒結(jié)/熱等靜壓（關(guān)鍵致密化步驟） → 熱處理（均勻化/退火） → 精密機(jī)械加工 →背板焊接（與銅/鋁背板結(jié)合） → 精密加工與清洗 → 檢測(cè)與真空包裝。
2. 關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)：
超高純?cè)现苽浼夹g(shù)：采用真空蒸餾、區(qū)域熔煉、電解精煉等方法，從源頭去除雜質(zhì)，是制備5N級(jí)以上高純鋯錠的關(guān)鍵。
高致密化成型與燒結(jié)技術(shù)：對(duì)于陶瓷靶材（如ZrB?、YSZ），這是核心難點(diǎn)。需采用熱壓燒結(jié)或熱等靜壓在高溫高壓下促進(jìn)致密化。通過(guò)優(yōu)化粉體合成（如碳熱還原法控制粉體粒徑與形貌）、添加適量燒結(jié)助劑或采用先進(jìn)燒結(jié)工藝，以獲得接近理論密度（>95%）、單一物相的高質(zhì)量靶坯。
微觀組織均勻性調(diào)控技術(shù)：通過(guò)熱機(jī)械處理（如鍛造、軋制）和后續(xù)熱處理，調(diào)控金屬鋯靶的晶粒尺寸與取向；通過(guò)控制燒結(jié)工藝參數(shù)，確保陶瓷靶材成分與結(jié)構(gòu)的均勻性。
精密加工與無(wú)損綁定技術(shù)：高精度數(shù)控加工確保靶材尺寸與形位公差。靶材與背板的焊接（常采用擴(kuò)散焊或釬焊）必須實(shí)現(xiàn)極高的結(jié)合強(qiáng)度與導(dǎo)熱率，且界面無(wú)空洞，以保證高功率濺射下的散熱和穩(wěn)定性。
五、 具體應(yīng)用領(lǐng)域
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 具體功能與作用 | 技術(shù)要求與工藝特點(diǎn) |
| 先進(jìn)制程互連阻擋層 | 在銅或鈷互連線與低K介質(zhì)之間，沉積極薄（數(shù)納米）的氮化鋯或鋯基合金薄膜，作為擴(kuò)散阻擋層和粘附層，防止互連金屬擴(kuò)散并提升附著力。 | 對(duì)薄膜的連續(xù)性、致密性、厚度均勻性要求達(dá)到原子級(jí)。需與原子層沉積等先進(jìn)工藝兼容。 |
| 籽晶層與電極層 | 在存儲(chǔ)器件或特定傳感器中，鋯或鋯氮薄膜可作為電極的籽晶層，引導(dǎo)上層功能材料（如鐵電材料PZT）的定向生長(zhǎng)，優(yōu)化器件性能。 | 要求薄膜具有特定的晶體取向和低表面粗糙度，以利于外延生長(zhǎng)。 |
| 半導(dǎo)體封裝與高純?cè)O(shè)備 | 1.封裝內(nèi)部介電/絕緣層：利用二氧化鋯的高K特性，在先進(jìn)封裝中作為電容介質(zhì)或隔離層。
| 要求涂層極致致密、無(wú)針孔、附著力強(qiáng)，并能承受高頻次的工藝循環(huán)和熱沖擊。 |
| 2.工藝腔體內(nèi)壁涂層：在CVD、刻蝕等設(shè)備腔體內(nèi)壁沉積致密釔穩(wěn)定氧化鋯涂層，抵抗等離子體侵蝕，減少金屬污染，提升工藝純凈度。 |
| 光電器件與傳感器 | 1.透明導(dǎo)電氧化物摻雜：鋯可作為摻雜劑，用于調(diào)節(jié)氧化鋅等透明導(dǎo)電薄膜的性能。
| 對(duì)薄膜的光電性能（如透過(guò)率、電阻率）、壓電系數(shù)有精確要求。工藝需與器件結(jié)構(gòu)匹配。 |
| 2.壓電薄膜制備：使用鋯鈦合金靶通過(guò)濺射制備鋯鈦酸鉛壓電薄膜，用于MEMS傳感器、執(zhí)行器和射頻濾波器。 |
六、 與其他領(lǐng)域用鋯靶材的對(duì)比分析
| 對(duì)比維度 | 半導(dǎo)體封裝與微電子 | 核電與核工業(yè) | 化工防腐與海洋工程 | 顯示面板與光伏能源 |
| 核心要求 | 電學(xué)性能精確、超高純度、納米級(jí)均勻、超低缺陷。 | 中子吸收效率、抗輻照損傷、極端環(huán)境穩(wěn)定性。 | 極致耐腐蝕、抗沖刷、長(zhǎng)期服役可靠性。 | 大面積均勻性、特定光學(xué)/電學(xué)性能、成本控制。 |
| 典型材質(zhì) | 高純鋯、氮化鋯、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯、鋯鈦合金。 | 富集1?B的硼化鋯、鋯合金。 | 工業(yè)純鋯、鋯鈀合金、氧化鋯陶瓷涂層。 | 摻雜氧化鋯（用于TCO）、金屬鋯（用于阻擋層）。 |
| 純度要求 | 極高（4N-5N以上），嚴(yán)格控制電活性雜質(zhì)。 | 高，但更側(cè)重同位素豐度控制（如1?B）。 | 中高（3N-4N），滿足耐蝕性即可。 | 高（4N-5N），保證光學(xué)電學(xué)性能。 |
| 技術(shù)焦點(diǎn) | 原子級(jí)薄膜控制、超潔凈工藝、與硅基工藝完美兼容。 | 同位素分離與富集、高致密難熔陶瓷制備、輻照性能驗(yàn)證。 | 涂層在復(fù)雜介質(zhì)中的長(zhǎng)期耐久性、抗應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂。 | 在大尺寸基板（G10.5）上實(shí)現(xiàn)膜厚與性能的均一。 |
| 市場(chǎng)與認(rèn)證 | 技術(shù)壁壘最高，認(rèn)證周期極長(zhǎng)（2-3年），供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。 | 準(zhǔn)入壁壘極高，需國(guó)家核安全監(jiān)管機(jī)構(gòu)認(rèn)證，供應(yīng)商高度集中。 | 認(rèn)證周期較長(zhǎng)，需通過(guò)苛刻的工況模擬測(cè)試。 | 認(rèn)證周期較長(zhǎng)，與面板世代線深度綁定，成本敏感。 |
注：在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，鋯靶（主要是二氧化鋯）用于制備人工關(guān)節(jié)、牙種植體的生物活性涂層，核心要求是生物相容性和骨整合能力。在航空航天領(lǐng)域，硼化鋯超高溫陶瓷涂層用于發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件，要求耐超高溫、抗熱震和抗氧化。
七、 未來(lái)發(fā)展新領(lǐng)域與方向
面向先進(jìn)封裝與異質(zhì)集成的材料創(chuàng)新：
三維集成與芯粒技術(shù)：隨著2.5D/3D封裝和芯粒技術(shù)發(fā)展，對(duì)TSV側(cè)壁、微凸點(diǎn)界面處的超薄、共形阻擋層/粘附層需求迫切。開(kāi)發(fā)具有更低電阻率、更強(qiáng)阻擋能力的鋯基納米層狀或復(fù)合薄膜材料是關(guān)鍵。
嵌入式無(wú)源器件：利用高K鋯基氧化物薄膜（如摻雜的氧化鋯），在封裝基板內(nèi)制造高性能嵌入式電容、電感，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)封裝的小型化和高性能。
寬禁帶半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵界面層：
在碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件制造中，需要高質(zhì)量的門極介質(zhì)和鈍化層。鋯基高K介質(zhì)因其良好的熱穩(wěn)定性和合適的能帶偏移，有望作為新一代柵介質(zhì)材料，提升器件性能和可靠性。
微機(jī)電系統(tǒng)與智能傳感器的功能擴(kuò)展：
開(kāi)發(fā)具有更優(yōu)壓電、鐵電性能的鋯鈦酸鉛薄膜，用于制造更靈敏的傳感器、更高效的微能源收集器和更低損耗的射頻濾波器。
探索鋯基薄膜在新型存儲(chǔ)器、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等前沿器件中的應(yīng)用潛力。
綠色制造與產(chǎn)業(yè)鏈自主可控：
開(kāi)發(fā)更高材料利用率的靶材設(shè)計(jì)（如旋轉(zhuǎn)靶、拼接靶）和廢舊靶材的高值回收再生技術(shù)，以降低生產(chǎn)成本和環(huán)境影響。
實(shí)現(xiàn)從超高純鋯原料到高端靶材成品的全產(chǎn)業(yè)鏈自主供應(yīng)，是保障我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全的核心戰(zhàn)略之一。
綜上所述，半導(dǎo)體封裝與微電子用鋯靶材正從一種“輔助材料”向“賦能材料”轉(zhuǎn)變。其未來(lái)發(fā)展將深度融入摩爾定律延續(xù)與“超越摩爾”定律的創(chuàng)新洪流，在更小的尺度、更復(fù)雜的集成架構(gòu)和更豐富的功能需求中，扮演不可或缺的關(guān)鍵角色。
